На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2221-E | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P |
Виробник | Виробник | Renesas Technology America |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 600 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
FET Feature | FET Feature | Standard |