На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2201(TE16L1,NQ) | 2SK2201(TE16R) | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-7J1B | |
Виробник | Виробник | Toshiba | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <20 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 280 пФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 2A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 13.5 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |