На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SJ656 | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.2 нФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Заряд затвору | QG | 74 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |