На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SJ377(Q) | 2SJ377(TE16R) | 2SJ377(TE16R1,NQ) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-7B1B | 2-7J1B | 2-7B2B |
Виробник | Виробник | Toshiba | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <20 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 630 пФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <190 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||