2SJ058200

2SJ058200, 2SJ058200L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SJ058200L
Корпус мікросхеми
Корпус
U-G2
Виробник
Виробник
Panasonic - SSG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<10 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
400 пФVds = 20V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2 ОмId, Vgs = 1A, 10V
FET Feature
FET Feature
Standard