2N7000_D26Z

2N7000, 2N7000,126, 2N7000BU, 2N7000_D26Z, 2N7000_D74Z, 2N7000_D75Z, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG, 2N7000RLRPG, 2N7000TA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N7000,126	2N7000BU	2N7000_D26Z	2N7000_D74Z	2N7000_D75Z	2N7000G	2N7000RLRA	2N7000RLRAG	2N7000RLRMG	2N7000RLRPG	2N7000TA
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<830 мВт	<400 мВт	<400 мВт	<400 мВт	<400 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<400 мВт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	40 пФVds = 10V	30 пФVds = 25V	50 пФVds = 25V	50 пФVds = 25V	50 пФVds = 25V	60 пФVds = 25V	60 пФVds = 25V	60 пФVds = 25V	60 пФVds = 25V	60 пФVds = 25V	30 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<300 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™	STripFET™
Заряд затвору	Q_G	2 нC
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate