На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | XN04A8800L | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Mini 6P |
Виробник | Виробник | Panasonic - SSG |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 2mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <80 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір між емітером та базою | RE-B | 4.7 кОм |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >20Ic, Vce = 5mA, 10V |
Струм відсічення колектора другого транзистору | Ifrc2 | <100 мкА |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму другого біполярного транзистора | fh212 | <100 МГц |