UMG3

UMG3, UMG3NTR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрUMG3NTR
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
4.7 кОм