На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PUMD3,115 | PUMD3,125 | PUMD3,135 | PUMD3,165 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 5mA, 5V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | |||