На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PUMD30,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 20mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм |