На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PIMD2,115 | PIMD2,125 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм | |