На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PEMB3,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 4.7 кОм |