На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBLS6004D,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 500mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <180 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <185 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 100 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >60Ic, Vce = 5mA, 5V |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <1 А |
Струм відсічення колектора другого транзистору | Ifrc2 | <1 мкА |