На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBLS4001D,115 | PBLS4001V,115 | PBLS4001Y,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 | SS Mini-6 (SOT-666) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <500 мА | <500 мА |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >200Ic, Vce = 10mA, 2V | >200Ic, Vce = 10mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <130 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <130 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | (не задано) | <300 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | 1 мкА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | ||
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.2 кОм | ||
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | (не задано) | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | (не задано) | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <1 А | (не задано) | (не задано) |