PBLS2002S,115

PBLS2002, PBLS2002D,115, PBLS2002S,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBLS2002D,115PBLS2002S,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-68-SOIC (3.9мм ширина)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<3 А
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<400 мВт<550 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 100mA, 2V>220Ic, Vce = 500µA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 50mA, 1A<255 мВIb, Ic = 100mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<185 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN Prebiased, 1 PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
100 нА(не задано)
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
4.7 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
4.7 кОм
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора
UCE-sat2
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора
hFE2
>30Ic, Vce = 10mA, 5V
Постійний струм колектора другого транзистора
IC2
<1 А<100 мА