PBLS1503Y,115

PBLS1503, PBLS1503V,115, PBLS1503Y,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBLS1503V,115PBLS1503Y,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SS Mini-6 (SOT-666)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<280 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм відсічення колектора
Ifrc
100 нА
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
10 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора
UCE-sat2
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора
hFE2
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
Постійний струм колектора другого транзистора
IC2
<500 мА