На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSTB60BDW1T1 | NSTB60BDW1T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 5mA, 10V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN Prebiased, 1 PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | |