На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSTB1002DXV5T1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-553, SOT-5 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <200 мА |