NSBC144EDP6T5G

NSBC144, NSBC144EDP6T5G, NSBC144EDXV6T1G, NSBC144EDXV6T5G, NSBC144EPDP6T5G, NSBC144EPDXV6T1, NSBC144EPDXV6T1G, NSBC144EPDXV6T5, NSBC144EPDXV6T5G, NSBC144WDP6T5G, NSBC144WF3T5G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNSBC144EDP6T5GNSBC144EDXV6T1GNSBC144EDXV6T5GNSBC144EPDP6T5GNSBC144EPDXV6T1NSBC144EPDXV6T1GNSBC144EPDXV6T5NSBC144EPDXV6T5GNSBC144WDP6T5GNSBC144WF3T5G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-963SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-563SOT-963SOT-1123
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА(не задано)(не задано)
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В(не задано)(не задано)
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<408 мВт<500 мВт<500 мВт<408 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт(не задано)(не задано)
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V(не задано)(не задано)
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)(не задано)<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)(не задано)
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)(не задано)(не задано)
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА(не задано)(не задано)
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)
Опір між емітером та базою
RE-B
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)