На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSBC123EDXV6T1 | NSBC123EDXV6T1G | NSBC123EPDXV6T1 | NSBC123EPDXV6T1G | NSBC123JDP6T5G | NSBC123JDXV6T1 | NSBC123JDXV6T1G | NSBC123JDXV6T5 | NSBC123JDXV6T5G | NSBC123JF3T5G | NSBC123JPDP6T5G | NSBC123JPDXV6T1 | NSBC123JPDXV6T1G | NSBC123JPDXV6T5G | NSBC123TDP6T5G | NSBC123TF3T5G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-1123 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | (не задано) | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | (не задано) | (не задано) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | (не задано) | (не задано) |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | (не задано) | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | (не задано) |
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) |