На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSBC115EDXV6T1G | NSBC115TDP6T5G | NSBC115TF3T5G | NSBC115TPDP6T5G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SOT-963 | SOT-1123 | SOT-963 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | (не задано) | (не задано) | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | (не задано) | (не задано) | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | (не задано) | (не задано) | <408 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) | >160Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | (не задано) | (не задано) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Опір, підключений до бази | RB | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | 100 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) |