NSBC114EDXV6T1

NSBC114, NSBC114EDP6T5G, NSBC114EDXV6T1, NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T5G, NSBC114EPDP6T5G, NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T1G, NSBC114EPDXV6T5G, NSBC114TDP6T5G, NSBC114TDXV6T1, NSBC114TDXV6T1G, NSBC114TDXV6T5, NSBC114TDXV6T5G, NSBC114TF3T5G, NSBC114TPDXV6T1, NSBC114TPDXV6T1G, NSBC114YDP6T5G, NSBC114YDXV6T1, NSBC114YDXV6T1G, NSBC114YDXV6T5G, NSBC114YPDP6T5G, NSBC114YPDXV6T1, NSBC114YPDXV6T1G, NSBC114YPDXV6T5G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNSBC114EDP6T5GNSBC114EDXV6T1NSBC114EDXV6T1GNSBC114EDXV6T5GNSBC114EPDP6T5GNSBC114EPDXV6T1NSBC114EPDXV6T1GNSBC114EPDXV6T5GNSBC114TDP6T5GNSBC114TDXV6T1NSBC114TDXV6T1GNSBC114TDXV6T5NSBC114TDXV6T5GNSBC114TF3T5GNSBC114TPDXV6T1NSBC114TPDXV6T1GNSBC114YDP6T5GNSBC114YDXV6T1NSBC114YDXV6T1GNSBC114YDXV6T5GNSBC114YPDP6T5GNSBC114YPDXV6T1NSBC114YPDXV6T1GNSBC114YPDXV6T5G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-563SOT-1123SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА(не задано)<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА(не задано)<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В(не задано)<50 В<50 В<50 В<50 В(не задано)<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<408 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<408 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт(не задано)<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт(не задано)<500 мВт<500 мВт<408 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<408 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>35Ic, Vce = 5mA, 10V(не задано)>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V(не задано)>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)(не задано)(не задано)<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA(не задано)<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)(не задано)NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased(не задано)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА(не задано)500 нА500 нА500 нА500 нА(не задано)500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА500 нА
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм