На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSBA144EDP6T5G | NSBA144EDXV6T5 | NSBA144WDP6T5G | NSBA144WF3T5G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-1123 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <408 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) |
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) |