На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSBA124EDP6T5G | NSBA124EDXV6T1 | NSBA124EDXV6T1G | NSBA124EF3T5G | NSBA124XDXV6T1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-563 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | (не задано) | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | (не задано) | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | (не задано) | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||
Опір, підключений до бази | RB | (не задано) | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | 22 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | (не задано) | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | 47 кОм |