NSBA123EDXV6T1

NSBA123, NSBA123EDXV6T1, NSBA123EDXV6T1G, NSBA123JDP6T5G, NSBA123JDXV6T1, NSBA123JDXV6T1G, NSBA123JDXV6T5G, NSBA123JF3T5G, NSBA123TDP6T5G, NSBA123TF3T5G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNSBA123EDXV6T1NSBA123EDXV6T1GNSBA123JDP6T5GNSBA123JDXV6T1NSBA123JDXV6T1GNSBA123JDXV6T5GNSBA123JF3T5GNSBA123TDP6T5GNSBA123TF3T5G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-563SOT-563SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563SOT-1123SOT-963SOT-1123
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА(не задано)<100 мА<100 мА<100 мА(не задано)(не задано)(не задано)
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<50 В(не задано)<50 В<50 В<50 В(не задано)(не задано)(не задано)
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт(не задано)<500 мВт<500 мВт<500 мВт(не задано)(не задано)(не задано)
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>8Ic, Vce = 5mA, 10V>8Ic, Vce = 5mA, 10V(не задано)>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V(не задано)(не задано)(не задано)
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA(не задано)(не задано)(не задано)
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА500 нА(не задано)500 нА500 нА500 нА(не задано)(не задано)(не задано)
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм2.2 кОм(не задано)2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм(не задано)(не задано)(не задано)
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)(не задано)