На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSBA114EDP6T5G | NSBA114EDXV6T1G | NSBA114EDXV6T5 | NSBA114EDXV6T5G | NSBA114TDP6T5G | NSBA114TDXV6T1 | NSBA114TDXV6T1G | NSBA114TDXV6T5 | NSBA114TDXV6T5G | NSBA114TF3T5G | NSBA114YDP6T5G | NSBA114YDXV6T1 | NSBA114YDXV6T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <338 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <408 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |