На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MUN5335DW1T1 | MUN5335DW1T1G | MUN5335DW1T2 | MUN5335DW1T2G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <385 мВт | <385 мВт | (не задано) | (не задано) |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | |||