На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IMH20TR1 | IMH20TR1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 50mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |