На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IMD16AT108 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 50mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <500 мА |