FMG4AT148

FMG4, FMG4AT148

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFMG4AT148
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-5, SOT-753
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 1mA, 5V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
10 кОм