На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMH9T2R | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT6 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >68Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.1 кОм |