На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMF5T2R | EMF5XV6T5 | EMF5XV6T5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT6 | SOT-563 | SOT-563 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 10mA, 2V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN Prebiased, 1 PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | ||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | ||
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >270Ic, Vce = 10mA, 2V | >270Ic, Vce = 10mA, 2V |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <500 мА | <1 А | <1 А |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму другого біполярного транзистора | fh212 | <260 МГц | (не задано) | (не задано) |