На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMF22T2R | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT6 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 10mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Статичний коефіціент передачі струму другого біполярного транзистора | hFE2 | >30Ic, Vce = 5mA, 5V |
Постійний струм колектора другого транзистора | IC2 | <500 мА |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму другого біполярного транзистора | fh212 | <320 МГц |