На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMD4DXV6T1G | EMD4DXV6T5G | EMD4T2R | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SOT-563 | EMT6 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | (не задано) | (не задано) | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) |
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.1 кОм | 2.1 кОм | (не задано) |
Напруга насичення між колектором і емітером другого транзистора | UCE-sat2 | (не задано) | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |