На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DDC144EH-7 | DDC144EU-7 | DDC144EU-7-F | DDC144NS-7 | DDC144TU-7 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <50 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >150Ic, Vce = 25mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | ||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) |