DDC114EH-7

DDC114, DDC114EH-7, DDC114EU-7, DDC114EU-7-F, DDC114TH-7, DDC114TU-7, DDC114TU-7-F, DDC114YH-7, DDC114YU-7, DDC114YU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDC114EH-7DDC114EU-7DDC114EU-7-FDDC114TH-7DDC114TU-7DDC114TU-7-FDDC114YH-7DDC114YU-7DDC114YU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
10 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм