DDA143EH-7

DDA143, DDA143EH-7, DDA143TH-7, DDA143TK-7-F, DDA143TU-7, DDA143TU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDA143EH-7DDA143TH-7DDA143TK-7-FDDA143TU-7DDA143TU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-563SOT-563SOT-26SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Опір, підключений до бази
RB
4.7 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
4.7 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)