На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DDA123JH-7 | DDA123JK-7-F | DDA123JU-7 | DDA123JU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | |||