На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DDA114EH-7 | DDA114EK-7-F | DDA114EU-7 | DDA114EU-7-F | DDA114TH-7 | DDA114TK-7-F | DDA114TU-7 | DDA114TU-7-F | DDA114YH-7 | DDA114YK-7-F | DDA114YU-7 | DDA114YU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >30Ic, Vce = 5mA, 5V | >30Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >68Ic, Vce = 10mA, 5V | >68Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | |||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |