На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DCX143EH-7 | DCX143EU-7-F | DCX143TH-7 | DCX143TK-7-F | DCX143TU-7 | DCX143TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SC-74R | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||
Опір, підключений до бази | RB | 4.7 кОм | 47 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 4.7 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм |