На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR08PNE6327 | BCR08PNE6433 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 5mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | |