На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UNR32A100L | UNR32A1G0L | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SSS Mini 3P | |
Виробник | Виробник | Panasonic - SSG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <80 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <100 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | |
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | |