На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UNR111D | UNR111E | UNR111F | UNR111H | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | M-Type | |||
Виробник | Виробник | Panasonic - SSG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 5mA, 10V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | |||
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | 47 кОм | 4.7 кОм | 2.2 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | 22 кОм | 10 кОм | 10 кОм |