PDTB123ES,126

PDTB123, PDTB123EK,115, PDTB123ES,126, PDTB123ET,215, PDTB123TK,115, PDTB123TS,126, PDTB123TT,215, PDTB123YK,115, PDTB123YS,126, PDTB123YT,215

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPDTB123EK,115PDTB123ES,126PDTB123ET,215PDTB123TK,115PDTB123TS,126PDTB123TT,215PDTB123YK,115PDTB123YS,126PDTB123YT,215
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 50mA, 5V>40Ic, Vce = 50mA, 5V>40Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм