PDTA124EE,115

PDTA124, PDTA124EE,115, PDTA124EK,115, PDTA124EM,315, PDTA124ES,126, PDTA124ET,215, PDTA124EU,115, PDTA124EU,135, PDTA124TE,115, PDTA124TK,115, PDTA124TM,315, PDTA124TS,126, PDTA124TT,215, PDTA124TU,115, PDTA124XE,115, PDTA124XK,115, PDTA124XM,315, PDTA124XS,126, PDTA124XT,215, PDTA124XU,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPDTA124EE,115PDTA124EK,115PDTA124EM,315PDTA124ES,126PDTA124ET,215PDTA124EU,115PDTA124EU,135PDTA124TE,115PDTA124TK,115PDTA124TM,315PDTA124TS,126PDTA124TT,215PDTA124TU,115PDTA124XE,115PDTA124XK,115PDTA124XM,315PDTA124XS,126PDTA124XT,215PDTA124XU,115
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>60Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
1 мкА
Опір, підключений до бази
RB
22 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)22 кОм22 кОм47 кОм47 кОм22 кОм47 кОм47 кОм47 кОм