На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PDTA124EE,115 | PDTA124EK,115 | PDTA124EM,315 | PDTA124ES,126 | PDTA124ET,215 | PDTA124EU,115 | PDTA124EU,135 | PDTA124TE,115 | PDTA124TK,115 | PDTA124TM,315 | PDTA124TS,126 | PDTA124TT,215 | PDTA124TU,115 | PDTA124XE,115 | PDTA124XK,115 | PDTA124XM,315 | PDTA124XS,126 | PDTA124XT,215 | PDTA124XU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||||||||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||||||||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | PNP Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | ||||||||||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм | ||||||||||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | 22 кОм | 22 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 22 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |