На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PDTA123EE,115 | PDTA123EK,115 | PDTA123EM,315 | PDTA123ES,126 | PDTA123ET,215 | PDTA123EU,115 | PDTA123JE,115 | PDTA123JK,115 | PDTA123JM,315 | PDTA123JS,126 | PDTA123JT,215 | PDTA123JU,115 | PDTA123TE,115 | PDTA123TK,115 | PDTA123TM,315 | PDTA123TT,215 | PDTA123TT,235 | PDTA123TU,115 | PDTA123YE,115 | PDTA123YK,115 | PDTA123YM,315 | PDTA123YS,126 | PDTA123YT,215 | PDTA123YU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||||||||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 100 нА | 1 мкА | 100 нА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА | 1 мкА |
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |||||||||||||||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |