На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PDTA115EE,115 | PDTA115EK,115 | PDTA115EM,315 | PDTA115ES,126 | PDTA115ET,215 | PDTA115EU,115 | PDTA115TE,115 | PDTA115TK,115 | PDTA115TM,315 | PDTA115TS,126 | PDTA115TT,215 | PDTA115TU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | |||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | |||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 100 кОм | |||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |