PDTA114

PDTA114, PDTA114EE,115, PDTA114EK,115, PDTA114EM,315, PDTA114ES,126, PDTA114ET,215, PDTA114ET,235, PDTA114EU,115, PDTA114EU,135, PDTA114TE,115, PDTA114TEF,115, PDTA114TK,115, PDTA114TK,135, PDTA114TM,315, PDTA114TS,126, PDTA114TT,215, PDTA114TU,115, PDTA114YE,115, PDTA114YK,115, PDTA114YM,315, PDTA114YS,126, PDTA114YT,215, PDTA114YU,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPDTA114EE,115PDTA114EK,115PDTA114EM,315PDTA114ES,126PDTA114ET,215PDTA114ET,235PDTA114EU,115PDTA114EU,135PDTA114TE,115PDTA114TEF,115PDTA114TK,115PDTA114TK,135PDTA114TM,315PDTA114TS,126PDTA114TT,215PDTA114TU,115PDTA114YE,115PDTA114YK,115PDTA114YM,315PDTA114YS,126PDTA114YT,215PDTA114YU,115
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
1 мкА
Опір, підключений до бази
RB
10 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм2.1 кОм47 кОм2.1 кОм2.1 кОм2.1 кОм