На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PDTA113EE,115 | PDTA113EK,115 | PDTA113EM,315 | PDTA113ES,126 | PDTA113ET,215 | PDTA113EU,115 | PDTA113ZE,115 | PDTA113ZK,115 | PDTA113ZM,315 | PDTA113ZS,126 | PDTA113ZT,215 | PDTA113ZU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >30Ic, Vce = 40mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V | >35Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 1.5mA, 30mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 1 мкА | |||||||||||
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм | |||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |